Размер шрифта: A AA Изображения Выключить Включить Цвет сайта Ц Ц Ц Обычная версия

Северо-Восточный
федеральный университет
имени М.К. Аммосова

Версия для слабовидящих

1
  • Учебно-научная лаборатория "Наноэлектроника"

    photo.jpg

    Иннокентьев Дмитрий Евгеньевич
    Заведующий лабораторией

    Адрес:677000 г. Якутск, ул. Кулаковского, 48, Корпус факультетов естественных наук, ауд. 605.

    Телефон (факс): 8 924 171 27 61, вн. 512

    Эл. почта: skull3r@mail.ru

    Сайт:



    Штатный состав: Иннокентьев Д.Е., зав. лаб.

    В лаборатории выполняются исследования студентами различных материалов при выполнении курсовых и дипломных работ, а также проводятся лабораторные занятия для бакалавров и специалистов кафедры радиофизики и электроники и кафедры методики преподавания физики.

    2010 г. – РФЭ-07

    2011 г. – РФЭ-08, ФП-11

    2012 г. – РФЭ-09, РФ-11

    Сканирующий зондовый микроскоп NT-MDT NanoEducator (3 штуки)

    Гранты за 2010 год: Винокуров П.В. (аспирант) – грант имени академика Ларионова В.П.

    Гранты за 2011 год: Иннокентьев Д.Е. (ст. гр. РФЭ-06) – грант ректора СВФУ, именная стипендия А.И. Кузьмина; Макаров А.М. (ст. гр. РФЭ-06) – грант академика Ларионова В.П.; Олейникова О.О. (ст. гр. РФЭ-07) – грант академика Ларионова В.П., именная стипендия А.И. Кузьмина.


    Основные результаты деятельности лаборатории:

    2010 г. – 

    1) Определены механизмы эмиссии носителей с нанокристаллов кремния в диэлектрической матрице; 

    2) Созданы и исследованы структуры с варьируемой концентрацией нанокристаллов германия, встроенных в матрицу SiO2; 

    3) Исследованы механизмы транспорта носителей поперек структур с одиночной квантовой ямой SiGe; 

    4) Исследованы нестационарные процессы в структурах Si/SiGe/Si с тремя квантовыми ямами.

    2011 г. – 

    1) В результате проведенных исследований определены оптимальные режимы формирования нанокристаллов германия в SiO2:Ge С; 

    2) Установлено, что размеры наннокристаллов проявляют зависимость от толщины слоя и температуры отжига. При этом все нанокристаллы являются релаксированными; 

    3) Из-за наличия дефектов, в образцах, содержащих нанокристаллы, отсутствует фотолюминесценция; 

    4) Из сравнительного анализа свойств слоев Ge:Al2O3 и Ge:SiO2 следует что, в слоях Ge:Al2O3 формируются более крупные нанокристаллы германия; 

    5) Воздействие ионами высоких энергий (Xe, с энергией 470 МэВ и дозой 1012 см-2) показало, что облучение приводит к некоторому росту содержания нанокристаллического Ge в слоях SiO2; 

    6) Обнаружены ступеньки на вольт-амперных характеристик структур с квантовыми ямами SiGe при температурах близких к 80К и напряжениях ± (10-13) В; 

    7) На основе теоретического анализа полученных экспериментальных данных сделано предположение, что в случае формирования узких треугольных барьеров в электрическом поле, происходит резонансное туннелирование носителей заряда из кремния или металлического электрода через уровни в квантовой яме;

    8) Олейникова О.О. (РФЭ-07) – Диплом II степени на Всероссийской конференции научной молодежи «ЭРЭЛ-2011»; 9) Олейникова О.О. (ст. гр. РФЭ-07) – повышение квалификации в Институте переподготовки и повышения квалификации Новосибирского госуниверситета.


    Важнейшие публикации по тематике деятельности:

    2010 г. –

    1. I.V.Antonova, M.B.Gulyaev, A.G. Cherkov, V.A. Volodin, D.V. Marin. The modification of Si nanocrystallites embedded in a dielectric matrix by high energy ion irradiation. Nanotechnology, 20, 2009, p.095205 (5 страниц).

    2. I.V.Antonova, E.P. Neustroev, S.A. Smagulova, M.S. Kagan, P.S. Alekseev, S.K. Ray, N. Sustersec, J. Kolodzey. Quantum confinement levels in SiGe quantum well in the passivated Si/SiGe/Si structures. Solid State Phenomena v. 156-158, 541-546, 2010.

    3. Винокуров П.В., Смагулова С.А., Неустроев Е.П., Антонова И.В. Recharging quantum well levels in nanoscale structures Si/SiGe. “The application of technology for the conservation of nature in Cold region”. Materials of the IX International Symposium on Cold regions development, june 1-5, Якутск: изд. ЯНЦ СО РАН, 2010. – р.76.

    2011 –

    1. Антонова И.В., Смагулова С.А., Неустроев Е.П., Скуратов В.А., J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg. Зарядовая спектроскопия слоев SiO2 с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий.// Физика и техника полупроводников, 2011 г., т.45, вып.5, С.591-595.


    закрыть

    Антиспам:

    CAPTCHA