Размер шрифта: A AA Изображения Выключить Включить Цвет сайта Ц Ц Ц Обычная версия

Северо-Восточный
федеральный университет
имени М.К. Аммосова

Версия для слабовидящих

1
  • Учебно-научно-технологическая лаборатория «Графеновые нанотехнологии»

    photo.jpg

    Смагулова Светлана Афанасьевна
    Заведующая лабораторией, главный научный сотрудник, доцент кафедры радиофизики и электроники, кандидат физико-математических наук.

    Адрес:677000 г. Якутск, ул. Кулаковского, 46, каб. 205.

    Телефон (факс): (4112) 496615, +79142901045

    Эл. почта: smagulova@mail.ru

    Сайт:



    Штатный состав лаборатории

    1. зав. лабораторией, главный научный сотрудник, Смагулова Светлана Афанасьевна, доцент КРФиЭ, к.ф.-м.н.

    2. ведущий научный сотрудник Капитонов Альберт Николаевич, доцент, к.х.н.

    3. ведущий научный сотрудник Антонов Степан Романович, к.ф.м.н.

    4. старший научный сотрудник Николаев Данил Валериевич, к.ф.м.н.

    5. старший научный сотрудник Попов Василий Иванович, к.ф.м.н.

    6. старший научный сотрудник Тимофеева Тамара Егоровна, к.ф.м.н.

    7. научный сотрудник + 0,5 ст. в.н.с. Тимофеев Владимир Борисович

    8. 0,5 ст. ведущий научный сотрудник Антонова Ирина Вениаминовна, д.ф.м.н.

    9. научный сотрудник Винокуров Павел Васильевич

    10. младший научный сотрудник Куркина Ирина Ивановна

    11. зав.уч.лаб. + 0,5 ст. лаборанта Александров Григорий Николаевич

    12. инженер-химик+0,5 ст. лаборанта Васильева Федора Дмитриевна

    13. ведущий инженер Семенов Анатолий Николаевич

    14. инженер Мачахова Галина Афанасьевна

    15. инженер Охлопков Михаил Егорович

    16. стажер-исследователь Олейникова Ольга Олеговна


    Описание деятельности лаборатории (данные за 2010-2012 гг.)

    Дата открытия лаборатории: 19 апреля 2011 г. (на основании решения Ученого Совета СВФУ от 18 апреля 2011 г. №08/04 «О создании учебно-научно-технологической лаборатории «Графеновыенанотехнологии» при кафедре «Радиофизика и электроника» ФТИ СВФУ»)

    Цели работы лаборатории:

    • подготовка высококвалифицированных кадров нового поколения по направлению «Наноэлектроника»;

    • деятельность в области фундаментальной науки, способствующей разработкам технологий получения графена, методам создания новых композитных материалов с применением графена, приборных структур на основе графена;

    • разработка высоких технологий по получению новых наноматериалов, модифицированных графеном, разработка приборных структур на основе графена с широким спектром применений.

    Структура лаборатории:

    - Научный отдел;

    - Отдел роста графена;

    - Технологический отдел.

    Закупка оборудования на сумму 59 млн. рублей было профинансировано по ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в РФ на 2008-2011 гг.»

    Выполнено за 2011-2012 гг.:

    Опубликованные статьи – 9

    Посланныевпечатьстатьи – 7

    Публикации тезисов в международных конференциях – 16

    Устные доклады на международных конференциях – 5

    Доклады в российских конференциях (опубликованные тезисы) – 22

    Опубликовано в трудах конференций – 13

    Дипломных работ – 8

    Курсовых работ – 10

    Внедрение в образовательный процесс:

    1. Разработан учебно-методический комплекс дисциплины по курсу "Физические основы микроэлектроники" для обучения студентов 2 курса кафедры радиотехники и информационных технологий ФТИ СВФУ.

    2. Разработано методическое пособие по работы на атомно-силовом и сканирующем туннельном микроскопах для выполнения лабораторных работ по курсу "Физические основы микроэлектроники".

    3. Разработано методическое пособие «Исследование глубоких уровней в полупроводниковых структурах методом зарядовой спектроскопии» для выполнения лабораторных работ по курсу "Физические основы микроэлектроники".

    4. Разработано методическое пособие для лабораторных работ по курсу "Основы компьютерного моделирования и проектирования радиоэлектронных систем" и внедрено в образовательный процесс в I семестре 2012-2013 учебного года для обучения студентов 5 курса кафедры радиофизики и электроники ФТИ СВФУ в виде новых лабораторных работ, продолжительностью 60 академических часов.

    Повышение квалификаци:

    1. Антонов С. Р. – повышение квалификации в г. Екатеринбург, ЦКП «Современные нанотехнологии» УРФУ с 25 февраля по 11 марта 2012 г.

    2. Николаев Д.В. – повышение квалификации в г. Астрахань, Региональный центр нанотехнологии и наноиндустрии, ФГБОУ ВПО «Астраханский государственный университет», 26-29 ноября 2012 г.

    3. Александров Г.Н. – стажировка в г. Бийск, Бийский технологический институт (филиал) ГОУ ВПО «Алтайский государственный технический университет им.И.П. Ползунова», ООО «Ультразвуковые технологии», 10-18 декабря 2012 г.

    Взаимодействие с научными учреждениями и инновационными структурами:

    1. Соглашение о научно-техническом сотрудничестве между ЗАО «Инструменты нанотехнологии», г. Москва и ФГАОУ ВПО СВФУ им. М.К. Аммосова от 17 октября 2012 г.

    2. Соглашение по организации научно-образовательного инновационного партнерства «Нанотехнология» между Институтом физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения Российской Академии Наук (СО РАН) и ГОУ ВПО «Якутский государственный университет им. М.К. Аммосова» от 14 апреля 2009 г.

    3. Совместная работа с Институтом проблем нефти и газа Якутского научного центра СО РАН.

    Взаимодействие с образовательными учреждениями:

    1. ЦКП «Современныенанотехнологии» Уральского федерального университета, г. Екатеринбург

    2. Региональный центр нанотехнологии и наноиндустрии, ФГБОУ ВПО «Астраханский государственный университет», г. Астрахань

    3. Бийский технологический институт (филиал) ГОУ ВПО «Алтайский государственный технический университет им.И.П. Ползунова», ООО «Ультразвуковые технологии», г. Бийск.

    Участие в выставках:

    1. Выставка достижений научной молодежи СВФУ по итогам 2011 года в рамках Общеуниверситетской научной конференции студентов СВФУ, 27 апреля 2012 г. Диплом второй степени.

    2. III Фестиваль науки Юга России, Ростов-на-Дону, октябрь 2012.

    3. Выставка в рамках международной конференции «Наука и образование в XXI веке: роль университета в инновационном развитии региона», г. Якутск, ЦСП «Триумф». 23-25 октября 2012 г.

    4. Выставка в рамках международного форума «Открытые инновации» г. Москва 31 октября-3 ноября (получен диплом).

    5. Выставка ФТИ на Ректорском смотре, г. Якутск, КЦ «Сергеляхские огни», 15 ноября 2012 г.

    6. Выставка-ярмарка «Саха-ЭКСПО» в рамках Дней Республики Саха (Якутия) в Москве, Гостиный двор, 23-25 ноября 2012 г.

    Перечень основного оборудования лаборатории

    1. НанолабораторияNTEGRASpectra (атомно-силовая микроскопия+оптическая спектроскопия)

    2. Растровый электронный микроскоп JEOLJSM-7800F

    3. Автоматическая система электрофизических измерений ASEC-03

    4. Металлографический микроскоп LOMO ЕС METAMРВ-21-1

    5. Стереомикроскоп Olympus SZX10

    6. Стереомикроскоп Nikon Eclipse LV

    7. Стереомикроскоп АльтамиМЕТ 5С

    8. Установка плазмохимического травления ЭТНА-100

    9. Микроскоп Биомед-3

    10. Зондовая станция EcopiaEPS 300 с защитным боксом

    11. Весы лабораторные XFR-205DRE

    12. Установка совмещения и экспонирования HTG84-3

    13. Центрифуга SM-180-ВТ, 10000 rpm

    14. Установка травления 5л Plasma Surface Technology, PICO

    15. Термостолик Hot plate HP-200-BT

    16. Шкаф сушильный универсальный ШСП-0,25-60-С

    17. Печь для быстрого термического отжига MILA-5000P-F

    18. Дистиллятор KSG 6/8

    19. Дистиллятор GLF 2208

    20. Трубчатая печь Nabertherm RS 80/300/11

    21. Трубчатая печь Nabertherm RS 80/750/11

    22. Вакуумный универсальный пост ВУП-5М

    23. Азотная станция GSM3D MINI

    24. Деионизатор ДМЭ – 2/Б БМ 376 (двухступенчатый) в базовой комплектации

    25. Мойка ультразвуковая с подогревом ElmasonicS 40H

    Финансирование, наличие грантов (данные за 2010-2012 гг.)

    1. Грант РФФИ 08-02-00351-а (2008-2010 гг.)

    «Исследование нестационарных электронных процессов в структурах на основе кремния с квантовыми ямами и квантовыми точками»

    Объем финансирования: 490000 рублей за 2008 год; 525000 рублей за 2009 год;375000 рублей за 2010 год.

    2. Проект по аналитической ведомственной целевой программе (АВЦП) «Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2010 годы) № 2.1.1/2612

    «Исследование процессов перезарядки уровней в структурах на основе кремния с квантовыми точками и квантовыми ямами»

    Объем финансирования: 1938900 рублей за 2009 год; 1862200 рублей за 2010 год; 1890160 рублей за 2011 год.

    3. Временный творческий коллектив (ВТК) в СВФУ

    2011 г.: Мероприятие 4.28.2. «Получение графена электростатическим методом и исследование свойств графеновых пленок»

    Объем финансирования: 1200000 рублей

    2012 г: Мероприятие 2.66.1 «Разработка технологий создания графена, мультиграфена и графеновой бумаги химическими методами и исследование их свойств»

    Объем финансирования: 630000 рублей

    4. Грант на государственное задание ВУЗам на 2012-2014 г.г. по г/б теме МОН № 5537

    «Тонкопленочные структуры и нанокомпозиты на основе графена с широким спектром применений»

    Объем финансирования на 2012 г. - 1000000 рублей

    5. Федеральная целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы 2012-1.1-12-000-2003 совместно с ИФП СО РАН г. Новосибирск

    «Тонкопленочные гетероструктуры и сверхрешетки на основе графена для широкого спектра применений»

    Объем финансирования на 2012 г.:- 980000 рублей

    5. Основные результаты научной деятельности (данные за 2010-2012 гг.)

    В 2011 г. выполненанаучно-исследовательская работа по теме "Получение графена электростатическим методом и исследование свойств графеновых пленок". Опыт работы с графеном был приобретен при исследовании однослойных, двухслойных и т.д. графеновых пленок с латеральными размерами около70х70 мкм, полученных методом электростатического или механического расслоения графита. Накоплен определенный опыт по исследованию структуры графена и мультиграфеновых пленок методами атомно-силовой микроскопии, комбинационного рассеяния света, оптической и электронной микроскопии, и их электрических свойств.

    В 2012 году выполнена научно-исследовательская работа по теме "Разработка технологий создания графена и мультиграфена химическими методами и исследование их свойств». Освоены технологии получения оксида графена в суспензии, оксидной графеновой бумаги химическими методами, а также получения мультиграфеновых пленок из графита модифицированным микромеханическим методом.Кроме того, реализована технология получения терморасширенного графита. Начаты работы по получению графена большой площади методом осаждения углерода из газовой фазы на медные подложки.


    Важнейшие публикации по тематике деятельности (данные за 2010-2012 гг.)

    - в зарубежных изданиях, индексируемых иностранными организациями (Scopus, WebofScience):

    1. I.V. Antonova, E.P. Neustroev, S.A. Smagulova, M.S. Kagan, P.S. Alekseev, S.K. Ray, N. Sustersic, J. Kolodzey, Quantum Confinement Levels in SiGe Quantum Well in the passivated Si/SiGe/Si structures, Solid State Phenomena v.156 – 158, 541-546 (2010) / / Импакт-фактор (2011): 0,26

    2. I.V. Antonova, P.V. Vinokurov, S.A. Smagulova, M.S. Kagan, S.K. Ray, J. Kolodzey Resonant tunneling in Si/SiGe/Si structures with a single quantum well under surface passivation, J. Appl. Phys, 110,123710 (2011) / Импакт-фактор (2011): 2,168

    3. V.P. Popov, L.N. Safronov, O.V. Naumova, D.V. Nikolaev, I.N. Kupriyanov, Yu.N. Palyanov. Conductive layers in diamond formed by hydrogen ion implantation and annealing. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. Volume 282, 1 July 2012, Pages 100–107 / Цит. в Web of Science®: 1 Импакт-фактор (2011): 1,211

    4. V.P.Popov, L.N.Safronov, O.V.Naumova, D.V.Nikolaev,Yu.N.Palyvanov, I.N.Kupriyanov. Diamond – Graphite Heterostructures Formed by Nitrogen and Hydrogen Implantation and Annealing. Advanced Materials Research, v.276, p.27-33, 2011 / Импакт-фактор (2011): 0,7

    5. I. I. Kurkina, I. V. Antonova, S.A. Smagulova, A. A. Shklyaev, and M. Ichikawa. Luminescence and deep-level transient spectroscopy of grown dislocation-rich Si layers. AIP ADVANCES. 2, 032152, 2012 / Импакт-фактор (2011): 0,0 (вкл. в БД с 2012)

    6. I.V.Antonova, S.A. Smagulova, V.A.Skuratov, V.A.Volodin, D.V. Marin, A. Janse van Vuuren, J.Neethling,J. Jedrzejewski, I.Balberg. Enhanced formation of Genanocrystals in Ge:SiO2 layers by swift heavy ions. J. Appl. Phys, 45, 285303, 2012 / Импакт-фактор (2011): 2,168

    - в рецензируемых журналах по перечню ВАК:

    1. И.В.Антонова, С.А.Смагулова, Е.П.Неустроев, В.А.Скуратов, J. Jedrzejewski, E. Savir, I.Balberg, Зарядовая спектроскопия слоев SiO2 с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий. Физика и техника полупроводников, 45, №5, 591-595, 2011 / Импакт-фактор РИНЦ (2010) 0,538

    2. П.В. Винокуров, Е.П. Неустроев, С.А. Смагулова, И.В.Антонова, М.С.Каган. Перезарядка локализованных состояний в структурах Si/SiGe/Si с квантовыми ямами в зависимости от содержания Ge. Вестник СВФУ, т.8, №2. С.10-15, 2011 / Импакт-фактор РИНЦ (2010) 0,031

    - в российских изданиях (РИНЦ):

    1. Попов В.И., Степанов А.Е., Голиков И.А., Бондарь Е.Д., Халипов В.Л. Структурные особенности субавроральной ионосферы при возникновении поляризационногоджета. Геомагнетизм и аэрономия М.: 2011 Т.51, №5 С.643-650 / Импакт-фактор РИНЦ 2010: 0,723

    2. Н.В. Егоров, А.Г. Карпов, Л.И. Антонова, А.Г. Федоров, В.В. Федоров, С.Р. Антонов. Методика исследования пространственной структуры тонких пленок на наноуровне. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. – М.: изд. «Наука», 2011, №10, С.83-86 / Импакт-фактор (2011): 0,280


    закрыть

    Антиспам:

    CAPTCHA